실리콘- 게르마늄(SiGe) 기술을 '이종접합 양극성 트랜지스터 (HBT)' 생산에 적용하기 스크랩
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김상훈
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- 한국과학기술연구원
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- 전기/전자
2002-01-28
리포트는 KOSEN 회원님들이 작성하는 최신연구동향 보고서입니다.
국내외 연구기관에서 발간하는 최신 동향보고서를 제공합니다.
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